江阴晶沐光电新材料有限公司
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产品详情
氧化硅片
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参考报价:
面议
品牌:
晶沐光电
关注度:
17
样本:
暂无
型号:
氧化硅片
产地:
江苏
信息完整度:
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暂无
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产品简介

介绍:二氧化硅(SiO₂)是一种常见的无机化合物,主要以石英、玻璃和硅胶等形式存在。它具有高硬度、高熔点(约1713℃)、优异的化学稳定性和良好的绝缘性能。

应用:二氧化硅(SiO₂)广泛应用于半导体、光通信、玻璃和陶瓷等领域。它在电子工业中作为硅片的氧化层、绝缘介质和CMP抛光材料,在光通信中作为光纤的主要材料,并用于制造光学玻璃和防反射涂层。此外,SiO₂还用于耐火材料、催化剂载体、食品添加剂和药物载体,发挥其优异的化学稳定性和耐热性。

产品规格书


二氧化硅衬底(2~12inch)

直径

50.8mm

76.2mm

100mm

150mm

200mm

300mm

厚度

400μm

400μm

500μm

625 μm

725μm

775μm

表面晶向

<100>   ∣   <111>    ∣    <110>

掺杂类型

N-type(Si-doping/As-doping/Sb-doping)

P-type(B-Doping)

Intrinsic

定位边长度

16mm

22mm

32mm

47.5mm

Notch

Notch

正面状态

Epi-polished,Ra<0.5nm

反面状态

SSP:Etch; DSP:Epi-polished,Ra<0.5nm

氧化类型

单面氧化  ∣  双面氧化

氧化层厚度

50nm

100nm

300nm

500nm

1000nm

2000nm

总厚度偏差TTV

≤8μm

≤10μm

≤10μm

≤20μm

≤30μm

≤30μm

弯曲度BOW

≤10μm

≤12μm

≤15μm

≤25μm

≤40μm

≤45μm

翘曲度WARP

≤12μm

≤15μm

≤20μm

≤30μm

≤60μm

≤60μm

边缘去除

≤2 mm

≤3 mm

产品性能表


单晶硅 Si

晶体结构

金刚石立方晶体

禁带宽度(eV)

1.12eV

熔点(℃)

1414℃

莫氏硬度(mohs)

7

热导率(W·cm-1·℃-1)

1.5W·cm-1·℃-1

热膨胀系数(℃-1)

2.5×10-6

晶格常数(nm)

a=0.5431

电子迁移率(cm-2·V-1·s-1

1350

击穿电场(MV·cm-1)

0.3

JFM指数(power)

1

BFM指数(SW)

1

BHFM指数(RF)

1

折射率

3.5


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