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介绍：碳化硅衬底是第三代半导体材料，属于宽禁带半导体材料。碳化硅是由C和Si元素按1：1比例形成的Ⅳ-Ⅳ族化合物半导体材料，硬度仅次于金刚石。它具有高硬度、高热导率、高击穿电场等优异特性。
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应用：在5G基站建设中，用于制作氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）等射频功率放大器器件；在卫星通信的射频器件；可用于制作紫外探测器；在增强现实（AR）衍射光波导中可作为理想的波导材料；高温压力传感器、高频振动传感器、辐射传感器等。
产品规格书
碳化硅4H-HPSI高纯半绝缘型单晶衬底（2~6英寸） | ||||
直径 | 50.8mm | 76.2mm | 100mm | 150mm |
厚度 | 500μm | 500μm | 500μm | 500μm |
表面晶向 | {0001} ± 0.2° | |||
主参考面晶向 | <11-20>± 5.0˚ | <1-100>±5° | ||
主参考面长度 | 16mm | 22mm | 32.5mm | Notch |
次参考面位置 | Silicon face up: 90.0˚ CW from Primary ± 5.0˚ | N/A | ||
次参考面长度 | 8mm | 11mm | 18mm | N/A |
电阻率 | ≥1E7 Ω·cm | |||
正面状态 | Si-Face：CMP,Ra<0.2nm | |||
反面状态 | C-Face：Optical Polish,Ra<0.5nm | |||
镭刻码面 | Back side：C-Face | |||
总厚度偏差TTV | ≤10μm | ≤15μm | ≤15μm | ≤15μm |
弯曲度BOW | ≤25μm | ≤25μm | ≤30μm | ≤40μm |
翘曲度WARP | ≤30μm | ≤35μm | ≤40μm | ≤60μm |
边缘去除 | ≤3 mm | |||
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产品性能表
碳化硅单晶 Silicon carbide | |
晶体结构 | 六方晶体 |
禁带宽度(eV) | 3.26eV |
熔点（℃） | 2730℃ |
莫氏硬度(mohs) | 9.2 |
热导率(W·cm-1·℃-1) | 4.9W·cm-1·℃-1 |
热膨胀系数(℃-1) | 4.7×10-6 |
晶格常数(nm) | a=0.3076 c=0.5048 |
电子迁移率（cm-2·V-1·s-1） | 720a 650c |
击穿电场(MV·cm-1) | 3.1 |
JFM指数（power） | 410 |
BFM指数(SW) | 290 |
BHFM指数(RF) | 34 |
折射率 | 2.6767～2.6480 |
介绍：碳化硅衬底是第三代半导体材料，属于宽禁带半导体材料。碳化硅是由C和Si元素按1：1比例形成的Ⅳ-Ⅳ族化合物半导体材料，硬度仅次于金刚石。它具有高硬度、高热导率、高击穿电场等优异特性。
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应用：在5G基站建设中，用于制作氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）等射频功率放大器器件；在卫星通信的射频器件；可用于制作紫外探测器；在增强现实（AR）衍射光波导中可作为理想的波导材料；高温压力传感器、高频振动传感器、辐射传感器等。
介绍：碳化硅衬底是第三代半导体材料，属于宽禁带半导体材料。碳化硅是由C和Si元素按1：1比例形成的Ⅳ-Ⅳ族化合物半导体材料，硬度仅次于金刚石。它具有高硬度、高热导率、高击穿电场等优异特性。
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应用：在5G基站建设中，用于制作氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）等射频功率放大器器件；在卫星通信的射频器件；可用于制作紫外探测器；在增强现实（AR）衍射光波导中可作为理想的波导材料；高温压力传感器、高频振动传感器、辐射传感器等。
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