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介绍：碳化硅衬底是第三代半导体材料，属于宽禁带半导体材料。碳化硅是由C和Si元素按1：1比例形成的Ⅳ-Ⅳ族化合物半导体材料，硬度仅次于金刚石。它具有高硬度、高热导率、高击穿电场等优异特性。
应用：新能源汽车领域：在电动汽车的电驱系统、车载充电系统（OBC）、车载DC/DC及非车载充电桩等组件中广泛应用。例如在电动车逆变器中，使用4H-N型导电碳化硅晶片制成的功率器件，可使整车能耗更低、尺寸更小、充电更快、续航里程更长。
⠀产品规格书
碳化硅4H-N导电型单晶衬底（2~8英寸） | ||||
直径 | 50.8mm | 100.0mm | 150.0mm | 200.0mm |
厚度 | 350μm | 350μm | 350μm | 500μm |
表面晶向 | Off-Axis：4°toward <11-20>±0.5° | |||
主参考面晶向 | Parallel to <11-20>±1° | <1-100>±1° | ||
主参考面长度 | 16.0mm | 32.5mm | 47.5mm | Notch |
次参考面位置 | Silicon face up: 90.0˚ CW from Primary ± 5. | N/A | N/A | |
次参考面长度 | 8.0mm | 18.0mm | N/A | N/A |
电阻率 | 0.014～0.028Ω•cm | |||
正面状态 | Si-Face：CMP,Ra<0.2nm | |||
反面状态 | C-Face：Optical Polish,Ra<0.5nm | |||
镭刻码面 | Back side：C-Face | |||
总厚度偏差TTV | ≤10μm | ≤15μm | ≤15μm | ≤20μm |
弯曲度BOW | ≤25μm | ≤30μm | ≤40μm | ≤60μm |
翘曲度WARP | ≤30μm | ≤40μm | ≤60μm | ≤80μm |
边缘去除 | ≤3 mm | |||
⠀
⠀产品性能表
碳化硅单晶 Silicon carbide | |
晶体结构 | 六方晶体 |
禁带宽度(eV) | 3.26eV |
熔点（℃） | 2730℃ |
莫氏硬度(mohs) | 9.2 |
热导率(W·cm-1·℃-1) | 4.9W·cm-1·℃-1 |
热膨胀系数(℃-1) | 4.7×10-6 |
晶格常数(nm) | a=0.3076 c=0.5048 |
电子迁移率（cm-2·V-1·s-1） | 720a 650c |
击穿电场(MV·cm-1) | 3.1 |
JFM指数（power） | 410 |
BFM指数(SW) | 290 |
BHFM指数(RF) | 34 |
折射率 | 2.6767～2.6480 |
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